введение примеси

введение примеси
priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси, n pranc. captage d'impureté, m; intrusion d'impureté, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Нужна курсовая?

Look at other dictionaries:

  • введение примеси — легирование примесь — [Л.Г.Суменко. Англо русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.] Тематики информационные технологии в целом Синонимы легированиепримесь EN doping …   Справочник технического переводчика

  • боковое введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • горизонтальное введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • внедрение примеси — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… …   Физическая энциклопедия

  • lateral impurity placement — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • placement latéral du dopant — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • seitliche Dotierung — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • šoninis priemaišų įterpimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Fremdstoffeindringung — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”